客服
留言
返回顶部

工作时间

周一至周五:

8:00-11:30

12:30-17:00

产品中心

Products Center

#

产品名称: 高真空单室热蒸发系统

上架时间: 2021-09-01

产品编号: 05050111

浏览次数: 52

技术参数
设备视频
附件下载

高真空单室热蒸发系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、 半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用 于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

系统主要由真空室系统蒸发室、蒸发源系统、样品台系统、 真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试 系统、上盖液压开启机构、电控系统组成。

产品名称 高真空单室热蒸发系统
产品型号
高真空单室热蒸发系统
主要参数

1、极限真空度5×10-5Pa,系统漏率:1×10-7PaL/S; 恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 Pa(短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气)

2、真空室:圆形真空室,尺寸300× 350mm

3、样品台:尺寸为3英寸×3英寸,厚度3.2mm的平面样品;

4、金属电极:数量:1支,标准型钎焊间接水冷结构;直径Φ20㎜,内水冷;

5、有机束源炉:数量:3支,标准型600度控温,向上蒸发成膜;

6、样品架:在基片转盘上有1个基片位置放置样品托(样品托可以分别放置2英寸)孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性,基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃(硅片上表面的温度,只需标定一次即可);

7、4套挡板系统:基片挡板与源挡板;靶挡板共有3套,动密封手动控制; 样品挡板(1套),磁力拨叉;

8、手动控制 气路系统:质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪:膜厚测量范围0-999999? 可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。

相关文章

免责声明

本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等),仅供参考。可能由于更新不及时,或许导致所述内容与实际情况存在一定的差异,请与本公司销售人员联系确认。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知。

在线留言

请填写表格与我们联系

看不清楚,换一张